Infineon IRLS3036TRLPBF

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MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.

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Descrição

MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.

Especificações

Tecnologia Super Junction MOSFET
Tensão Drain Source (Vds): 60V
Corrente Contínua Drain (Id) 197A (Tc=25°C)
Resistência Drain Source (Rds(on)): 3.7mOhm (Vgs=10V, Id=50A)
Tensão Gate Source (Vgs): ±20V
Package D2PAK (TO-263)
Temperatura de Operação -55°C a +175°C
Corrente Pulsada Drain (Idm) 788A
Carga de Gate Total (Qg) 160nC (Vgs=10V)
Tempo de Subida (tr) 15ns
Tempo de Descida (tf) 10ns

Recursos

  • RoHS Compliant

FAQ

Qual a temperatura máxima de operação do MOSFET IRLS3036TRLPBF?

A temperatura de operação do MOSFET IRLS3036TRLPBF varia de -55°C a +175°C.

Qual a tensão máxima que o MOSFET IRLS3036TRLPBF suporta entre o Drain e o Source?

A tensão Drain: Source (Vds) máxima do IRLS3036TRLPBF é 60V.

Qual o package do MOSFET IRLS3036TRLPBF?

O MOSFET IRLS3036TRLPBF possui package D2PAK (TO-263) e é RoHS Compliant.

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