Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 100V, 12A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento D2PAK.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 12 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.085 Ohm (Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263) |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 48 A |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2 V a 4 V |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, conversores DC-DC, controle de motor. |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon IRLR120NTRLPBF?
O transistor Infineon IRLR120NTRLPBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRLR120NTRLPBF?
A temperatura de operação do IRLR120NTRLPBF é de -55°C a +175°C.
Quais são as aplicações típicas do IRLR120NTRLPBF?
O IRLR120NTRLPBF é utilizado em fontes de alimentação chaveadas, conversores DC-DC e controle de motor.