Descrição
Transistor MOSFET de canal N, de baixa tensão, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e baixa corrente. Possui baixa carga de gate e baixa resistência de dreno fonte.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 55 V |
| Corrente de Drain contínua (Id) | 17 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 5.5 mOhm a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2 V |
| Carga de Gate (Qg) | 25 nC |
| Package | TO-220 |
| Temperatura de operação | -55 °C a 175 °C |
| Encapsulamento | Through Hole |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRLL2705PBF?
O IRLL2705PBF é encapsulado em TO-220 e é um componente Through Hole.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRLL2705PBF?
O IRLL2705PBF opera em temperaturas entre -55 °C e 175 °C.
Quais as características elétricas principais do IRLL2705PBF?
O IRLL2705PBF é um MOSFET de canal N com tensão Drain: Source (Vds) de 55 V, corrente de Drain contínua (Id) de 17 A, resistência Drain: Source (Rds(on)) de 5.5 mOhm a 10V, e tensão de Gate: Source (Vgs) de ±20 V.