Transistor MOSFET IRL530NPBF Infineon
O IRL530NPBF é um transistor MOSFET de canal N fabricado pela Infineon Technologies. Com uma tensão de ruptura de dreno-fonte (VDSS) de 100V e uma corrente de dreno contínua (ID) de 17A, este componente é ideal para aplicações de chaveamento de média potência em uma variedade de projetos eletrônicos.
Especificações Técnicas do IRL530NPBF:
- VDSS: 100V
- ID: 17A
- RDS(on): 100mΩ @ VGS = 10V
- Potência Dissipada Total (PD): 79W
- Encapsulamento: TO-220AB
- Temperatura de Junção (Tj): -55°C a +175°C
Características do MOSFET IRL530NPBF:
O IRL530NPBF possui uma série de características que o tornam uma escolha confiável e eficiente para suas necessidades de projeto:
- Baixa resistência de estado ligado (RDS(on)), resultando em menor dissipação de potência e maior eficiência.
- Alta capacidade de corrente, tornando-o adequado para controlar cargas significativas.
- Tempo de chaveamento rápido, permitindo operação em altas frequências.
- Encapsulamento TO-220AB robusto e amplamente utilizado, facilitando a montagem e a dissipação de calor.
Aplicações do Transistor IRL530NPBF:
Este transistor MOSFET de canal N é uma excelente opção para diversas aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Controladores de motor DC
- Circuitos de acionamento de relés
- Conversores CC-CC
- Sistemas de controle industrial
- Eletrônica automotiva
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