Descrição
Transistor IGBT de alta eficiência para aplicações de alta tensão, com diodo rápido integrado.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 40 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 120 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 40A, 25°C: 1.7 V |
| Diodo de Ruptura Rápida Integrado (trr) | 50 ns |
| Tecnologia | Trench Fieldstop IGBT |
| Package | TO-247 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Dissipação de Potência (Pd) a 25°C | 303 W |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | ±100 mA |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRGPS40B120UPBF pode suportar?
O IRGPS40B120UPBF suporta uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais temperaturas o IRGPS40B120UPBF pode operar?
O IRGPS40B120UPBF opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C.
Qual a corrente contínua e pulsada máxima do IRGPS40B120UPBF?
A corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C é de 40 A e a corrente de Coletor Pulsada (Icm) é de 120 A.