Descrição
MOSFET de canal N de alta performance da família IRF, projetado para aplicações de comutação de potência.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 60V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 25A |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 100A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 0.018 Ohm @ Vgs = 10V |
| Carga de Gate Total (Qg) | 45 nC @ Vgs = 10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1100 pF @ Vds = 25V |
| Capacitância de Saída (Coss) | 350 pF @ Vds = 25V |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 100 pF @ Vds = 25V |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Package | TO-220AB |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRF7205TRPBF suporta?
A tensão máxima Dreno-Fonte (Vds) suportada é de 60V.
Em qual faixa de temperatura o IRF7205TRPBF pode operar?
O IRF7205TRPBF opera na faixa de temperatura de -55°C a +175°C.
Qual o encapsulamento do IRF7205TRPBF e ele é RoHS Compliant?
O IRF7205TRPBF possui encapsulamento TO-220AB e é RoHS Compliant.