Descrição
Transistor MOSFET de canal N de baixa tensão, projetado para aplicações de chaveamento de alta frequência e baixa corrente.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 3.5 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±16 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 50 mΩ @ Vgs = 10 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 250 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 70 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 20 pF |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 14 A |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF7103TRPBF?
O IRF7103TRPBF possui encapsulamento PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7103TRPBF?
A temperatura de operação do IRF7103TRPBF varia de -55°C a +150°C.
Quais as características de tensão e corrente do IRF7103TRPBF?
O IRF7103TRPBF é um MOSFET de canal N com tensão Drain-Source (Vds) de 60 V e corrente de Drain contínua (Id) de 3.5 A. A tensão Gate-Source (Vgs) é de ±16 V.