Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 100V, 11A, com encapsulamento TO 220AB. Projetado para aplicações de comutação de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 100 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 11 A |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 0.12 Ohm @ Vgs = 10V |
| Carga de Gate Total (Qg) | 25 nC |
| Encapsulamento | TO-220AB |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 44 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF6201PBF?
O IRF6201PBF é encapsulado em TO-220AB.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF6201PBF?
O IRF6201PBF opera em temperaturas de -55°C a +175°C.
Quais as especificações de tensão e corrente do IRF6201PBF?
O IRF6201PBF é um MOSFET de canal N com tensão Dreno-Fonte (Vds) de 100V e corrente de Dreno Contínua (Id) de 11A. Sua corrente de dreno pulsada (Idm) é de 44A. A tensão Gate-Source (Vgs) é de ±20 V.