Descrição
O Infineon IRF540NPBF é um MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência e controle.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 22 A |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 4 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 44 mΩ a Vgs = 10 V |
| Package | TO-220 |
| Encapsulamento | Non-Conducting |
| Faixa de Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 88 A |
| Carga de Gate Total (Qg) | 50 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF540NPBF?
O IRF540NPBF possui encapsulamento Non-Conducting no package TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF540NPBF?
A faixa de temperatura de operação do IRF540NPBF é de -55°C a +175°C.
Qual a tensão de acionamento (Vgs(th)) e a tensão máxima Drain-Source (Vds) do IRF540NPBF?
A tensão de Threshold Gate: Source (Vgs(th)) é 4 V e a tensão Drain: Source (Vds) é 100 V.