Infineon IRF540NLPBF

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O Infineon IRF540NLPBF é um MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência e controle.

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Descrição

O Infineon IRF540NLPBF é um MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência e controle.

Especificações

Tecnologia HEXFET Power MOSFET
Tipo de Canal N-Channel
Tensão Dreno Fonte (Vds): 100 V
Corrente de Dreno Contínua (Id) 23 A
Corrente de Dreno Pulsada (Idm) 92 A
Tensão Gate Source (Vgs): ±20 V
Resistência Dreno Source (Rds(on)): 44 mΩ (Vgs=10V, Id=23A)
Tensão de Threshold Gate Source (Vgs(th)): 2.0 V (Id=250µA)
Capacitância de Entrada (Ciss) 1000 pF (Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz)
Capacitância de Saída (Coss) 250 pF (Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz)
Capacitância de Transferência (Crss) 100 pF (Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz)
Temperatura de Operação -55°C a +175°C
Encapsulamento TO-220AB
RoHS Compliant Sim

FAQ

Qual o encapsulamento do IRF540NLPBF?

O IRF540NLPBF possui encapsulamento TO-220AB.

Qual a faixa de temperatura de operação do IRF540NLPBF?

A temperatura de operação do IRF540NLPBF é de -55°C a +175°C.

Qual a tensão máxima entre Dreno e Fonte (Vds) do IRF540NLPBF?

A tensão Dreno:Fonte (Vds) do IRF540NLPBF é de 100 V.

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