Descrição
O Infineon IRF5210STRLPBF é um MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência em sistemas automotivos e industriais.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 36 A |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 4 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 25 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tecnologia | Super Junction |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 144 A |
| Carga de Gate (Qg) | 45 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF5210STRLPBF?
O IRF5210STRLPBF é encapsulado em D2PAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF5210STRLPBF?
A temperatura de operação do IRF5210STRLPBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão Drain-Source do IRF5210STRLPBF?
A tensão Drain-Source (Vds) do IRF5210STRLPBF é de 100 V.