Infineon IRF4905PBF

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O Infineon IRF4905PBF é um MOSFET de canal P de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência e gerenciamento de energia.

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Descrição

O Infineon IRF4905PBF é um MOSFET de canal P de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência e gerenciamento de energia.

Especificações

Tecnologia Power MOSFET
Tipo de Canal Canal P
Tensão Dreno Fonte (Vds): -55 V
Corrente de Dreno Contínua (Id) -74 A
Corrente de Dreno Pulsada (Idm) -300 A
Tensão Gate Source (Vgs): ±20 V
Resistência Dreno Source (Rds(on)): 0.024 Ohm @ Vgs = -10V, Id = -74A
Tensão de Threshold Gate Source (Vgs(th)): -2 V a -4 V
Temperatura de Operação -55°C a +175°C
Encapsulamento TO-220AB
Capacitância de Entrada (Ciss) 2400 pF
Capacitância de Saída (Coss) 600 pF
Capacitância de Transferência (Crss) 600 pF
Tempo de Subida (tr) 25 ns
Tempo de Descida (tf) 20 ns

FAQ

Qual o encapsulamento do IRF4905PBF?

O IRF4905PBF possui encapsulamento TO-220AB.

Qual a faixa de temperatura de operação do IRF4905PBF?

O IRF4905PBF opera em temperaturas de -55°C a +175°C.

Qual a tensão máxima que o IRF4905PBF pode suportar no dreno?

A tensão Dreno-Fonte (Vds) máxima do IRF4905PBF é de -55V.

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