Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta corrente e baixa tensão.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 40V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 195A |
| Corrente Pulsada Drain (Idm) | 780A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 3.5mΩ (Vgs=10V, Id=50A) |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2V (Id=250µA) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 4200pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 1100pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 550pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10ns |
| Package | TO-220 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IRF4104SPBF pode suportar?
O IRF4104SPBF suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de até 40V e uma tensão Gate-Source (Vgs) de ±20V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF4104SPBF?
A faixa de temperatura de operação do IRF4104SPBF é de -55°C a +175°C.
Qual a corrente contínua máxima que o IRF4104SPBF pode conduzir?
O IRF4104SPBF pode conduzir uma corrente contínua Drain (Id) de 195A e uma corrente pulsada Drain (Idm) de 780A.