Descrição
Transistor MOSFET de canal N, de potência, com encapsulamento TO 220, projetado para aplicações de comutação de alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 55 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 23 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ± 20 V |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.040 Ohm @ Vgs = 10 V |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 92 A |
| Carga de Gate (Qg) | 48 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do transistor IRLZ24NPBF?
O transistor IRLZ24NPBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRLZ24NPBF?
A temperatura de operação do IRLZ24NPBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima Drain-Source (Vds) do IRLZ24NPBF?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do IRLZ24NPBF é de 55 V.