Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 100V, 12A, com baixa resistência de condução (RDS(on)), encapsulado em TO 220.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 12 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.12 Ohm (Vgs=10V, Id=12A) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V a 4 V |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 48 A |
| Potência Dissipada (Pd) | 150 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Encapsulamento | TO-220AB |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon IRLU120NPBF?
O Infineon IRLU120NPBF é encapsulado em TO-220AB.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRLU120NPBF?
A temperatura de operação do IRLU120NPBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima entre Gate e Source do IRLU120NPBF?
A tensão Gate-Source (Vgs) máxima do IRLU120NPBF é ±20 V.