Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta condutividade, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 60V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 24A |
| Resistência Dreno | Fonte (Rds(on)): 0.045 Ohm @ Vgs = 10V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 96A |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1000pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 200pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 100pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10ns |
| Package | TO-220 FullPAK |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IRLU024NPBF pode suportar?
A tensão máxima Dreno-Fonte (Vds) suportada é de 60V.
Quais são as dimensões físicas do IRLU024NPBF?
O IRLU024NPBF é encapsulado em um TO-220 FullPAK.
Qual a corrente máxima que o IRLU024NPBF pode conduzir?
A corrente de Dreno Contínua (Id) é de 24A, e a corrente de Dreno Pulsada (Idm) é de 96A.