Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 55V, 35A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 220.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 55 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 35 A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 0.025 Ohm (Vgs=10V, Id=35A) |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V (Id=250uA) |
| Tensão Gate | Source Máxima (Vgs): ±16 V |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 140 A |
| Carga de Gate (Qg) | 50 nC (Vgs=10V) |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Padrão RoHS | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon IRLR2705PBF?
O transistor Infineon IRLR2705PBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRLR2705PBF?
A temperatura de operação do IRLR2705PBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima que pode ser aplicada entre Gate e Source no IRLR2705PBF?
A tensão Gate-Source máxima (Vgs) do IRLR2705PBF é ±16 V.