Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 16 A |
| Corrente Pulsada Drain (Idm) | 64 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.5 mΩ a Vgs = 10 V |
| Carga Gate Total (Qg) | 32 nC a Vgs = 10 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1100 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 120 pF |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Package | PG-TDSON-8 |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual a temperatura de operação do IRLL014NTRPBF?
O IRLL014NTRPBF opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a 175 °C.
Qual a tensão máxima que o IRLL014NTRPBF pode suportar entre Drain e Source?
A tensão Drain: Source (Vds) máxima suportada pelo IRLL014NTRPBF é de 60 V.
Qual o tipo de encapsulamento do IRLL014NTRPBF?
O IRLL014NTRPBF utiliza o encapsulamento PG-TDSON-8.