Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 86A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 8.7mOhm a Vgs=10V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2.5V |
| Corrente de Gate (Ig) | ±200nA |
| Potência Dissipada (Pd) | 300W |
| Encapsulamento | TO-220 FullPAK |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| RoHS Compliant | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação, inversores, gerenciamento de bateria |
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET IRLB8721PBF?
O MOSFET IRLB8721PBF possui encapsulamento TO-220 FullPAK.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRLB8721PBF?
A temperatura de operação do IRLB8721PBF varia de -55°C a +175°C.
Quais são as aplicações típicas do MOSFET IRLB8721PBF?
As aplicações típicas do IRLB8721PBF incluem fontes de alimentação, inversores e gerenciamento de bateria.