Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 30V, 55A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 220.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 30V |
| Corrente de Drain contínua (Id) a 25°C | 55A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)) a 10V: 7.5mΩ |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Tensão de limiar Gate | Source (Vgs(th)) a 250µA: 2V |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de operação | -55°C a 175°C |
| Corrente de Drain pulsada (Id) | 220A |
| Potência dissipada (Pd) a 25°C | 150W |
| Carga de Gate (Qg) | 58nC |
| Tempo de subida (tr) | 10ns |
| Tempo de descida (tf) | 7ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET IRL7833PBF?
O transistor MOSFET IRL7833PBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRL7833PBF?
A temperatura de operação do IRL7833PBF é de -55°C a 175°C.
Qual a tensão máxima que pode ser aplicada ao Gate do IRL7833PBF?
A tensão Gate-Source (Vgs) máxima do IRL7833PBF é de ±20V.