Infineon IRL7833PBF: MOSFET de Potência de Canal N
O IRL7833PBF da Infineon é um MOSFET de potência de canal N de última geração, projetado para aplicações que exigem alta eficiência e baixo consumo de energia. Com uma tensão de ruptura de dreno-fonte (VDSS) de 30V e uma corrente de dreno contínua (ID) de 140A, este transistor MOSFET é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores CC-CC
- Controladores de motor
- Aplicações automotivas
- Gerenciamento de bateria
Especificações do IRL7833PBF:
- Tensão de Ruptura de Dreno-Fonte (VDSS): 30V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 140A
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 3.3mΩ
- Tensão de Gate-Fonte (VGS): ±20V
- Dissipação de Potência (PD): 269W
- Temperatura de Junção (TJ): -55°C a +175°C
- Encapsulamento: TO-220AB
Recursos e Benefícios:
O IRL7833PBF oferece uma série de recursos e benefícios que o tornam uma escolha superior para suas necessidades de projeto:
- Baixa resistência de estado ligado (RDS(on)) para minimizar perdas de condução
- Alta capacidade de corrente para lidar com cargas exigentes
- Tempo de comutação rápido para alta eficiência
- Excelente estabilidade térmica
- Encapsulamento TO-220AB robusto e confiável
Aplicações:
O IRL7833PBF é uma solução versátil para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação de alta eficiência para computadores, servidores e telecomunicações
- Conversores CC-CC para aplicações automotivas e industriais
- Controladores de motor para ferramentas elétricas, eletrodomésticos e robótica
- Gerenciamento de bateria em veículos elétricos e sistemas de armazenamento de energia
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