Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 55V, 9.2A, com encapsulamento TO 220. Projetado para aplicações de comutação de alta frequência e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | Logic Level MOSFET |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 55 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 9.2 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±16 V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.075 Ohm @ Vgs = 10V |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 37 A |
| Carga de Gate (Qg) | 25 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 10 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do transistor IRL520NPBF?
O transistor IRL520NPBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRL520NPBF?
O IRL520NPBF opera em temperaturas de -55°C a +175°C.
Qual a tensão de gate para acionamento do IRL520NPBF?
O IRL520NPBF é um Logic Level MOSFET. A tensão Gate: Source (Vgs) é de ±16 V e a tensão de threshold Gate: Source (Vgs(th)) é de 2 V.