Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 55V, 110A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 220.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 55 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 110 A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 4.9 mOhm @ Vgs = 10V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Encapsulamento | TO-220 |
| RoHS | Sim |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 440 A |
| Tensão Gate | Source Máxima (Vgs): ±16 V |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Aplicações | Fontes de alimentação, gerenciamento de bateria, automotivo |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do Infineon IRL3705NPBF?
O Infineon IRL3705NPBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRL3705NPBF?
A temperatura de operação do IRL3705NPBF é de -55°C a +175°C.
Quais as aplicações típicas do Infineon IRL3705NPBF?
As aplicações típicas do IRL3705NPBF incluem fontes de alimentação, gerenciamento de bateria e aplicações automotivas.