Descrição
MOSFET de canal duplo N e P, projetado para aplicações de chaveamento de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de Transistor | Canal Duplo N-Channel e P-Channel |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 30V (N-Channel), -30V (P-Channel) |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 11A (N-Channel), -9.5A (P-Channel) |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V (N-Channel), -2V (P-Channel) |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 13mΩ @ Vgs=10V (N-Channel), 18mΩ @ Vgs=-10V (P-Channel) |
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
| Encapsulamento | 8-Pin SOIC (SO-8) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 44A (N-Channel), -38A (P-Channel) |
| Carga de Gate Total (Qg) | 25nC (N-Channel), 30nC (P-Channel) |
| Padrão RoHS | Sim |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF7304TRPBF?
O IRF7304TRPBF é encapsulado em um 8-Pin SOIC (SO-8).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7304TRPBF?
A temperatura de operação do IRF7304TRPBF varia de -55°C a +150°C.
Quais as tensões e correntes máximas suportadas pelos canais N e P do IRF7304TRPBF?
O canal N suporta uma tensão Dreno-Fonte (Vds) de 30V e corrente de dreno contínua (Id) de 11A. Já o canal P suporta -30V e -9.5A, respectivamente.