Descrição
MOSFET de canal N de alta performance da família IRF, projetado para aplicações de comutação de potência.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 60V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 28A |
| Resistência Dreno | Fonte (Rds(on)): 24mΩ @ Vgs = 10V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V @ Id = 250µA |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 112A |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 780pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 150pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 40pF |
| Tempo de Subida (tr) | 10ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10ns |
| Package | D2-Pak (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRF7241TRPBF pode suportar?
O IRF7241TRPBF suporta uma tensão Dreno-Fonte (Vds) de até 60V.
Em qual faixa de temperatura o IRF7241TRPBF pode operar?
O IRF7241TRPBF pode operar em uma faixa de temperatura de -55°C a +175°C.
Qual o tipo de encapsulamento do IRF7241TRPBF?
O IRF7241TRPBF utiliza o encapsulamento D2-Pak (TO-263).