Descrição
MOSFET de canal N de alta performance, 30V, 25A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento D2PAK.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 30V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 25A |
| Resistência de Condução Drain | Source (RDS(on)): 7.5mOhm @ 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2V |
| Corrente de Pico de Drain Pulsada (Idm) | 100A |
| Potência Dissipada (Pd) | 150W |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263AB) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET IRF7201TRPBF?
O MOSFET IRF7201TRPBF é encapsulado em D2PAK (TO-263AB).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7201TRPBF?
A temperatura de operação do IRF7201TRPBF varia de -55°C a +175°C.
Quais são as principais características elétricas do IRF7201TRPBF?
O IRF7201TRPBF é um MOSFET de canal N com tensão Drain-Source (Vds) de 30V, corrente contínua de Drain (Id) de 25A e resistência de condução Drain-Source (RDS(on)) de 7.5mOhm @ 10V. A corrente de pico de Drain pulsada (Idm) é de 100A. Possui tensão de Gate-Source (Vgs) de ±20V e tensão de threshold Gate-Source (Vgs(th)) de 2V.