Descrição
O Infineon IRF640NPBF é um transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 200 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 18 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 0.15 Ohm @ Vgs = 10V |
| Package | TO-220 |
| Encapsulamento | Non-Hermetic |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 72 A |
| Carga de Gate (Qg) | 50 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF640NPBF?
O IRF640NPBF possui encapsulamento Non-Hermetic no package TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF640NPBF?
A temperatura de operação do IRF640NPBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima de Gate-Source do IRF640NPBF?
A tensão Gate-Source (Vgs) máxima do IRF640NPBF é de ±20 V.