Descrição
O Infineon IRF540NSTRRPBF é um MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência e controle.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 22 A |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 44 mΩ a Vgs = 10 V |
| Package | D2PAK (TO-263) |
| Encapsulamento | Tape & Reel |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Gate Charge (Qg) | 50 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 88 A |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF540NSTRRPBF?
O IRF540NSTRRPBF é encapsulado em D2PAK (TO-263) e vem em Tape & Reel.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF540NSTRRPBF?
A temperatura de operação do IRF540NSTRRPBF varia de -55°C a +175°C.
Quais as principais características elétricas do IRF540NSTRRPBF?
O IRF540NSTRRPBF é um MOSFET de canal N com tensão Drain-Source (Vds) de 100 V, corrente de Drain contínua (Id) de 22 A, tensão Gate-Source (Vgs) de ±20 V, resistência Drain-Source (Rds(on)) de 44 mΩ, Gate Charge (Qg) de 50 nC, tempo de subida (tr) de 15 ns, tempo de descida (tf) de 10 ns, e corrente de Drain pulsada (Idm) de 88 A.