Descrição
Transistor MOSFET de canal P, encapsulamento D2PAK, projetado para aplicações de alta corrente e baixa tensão.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | Canal P |
| Tensão Drain | Source (Vds): -55 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | -74 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.017 Ohm @ Vgs = -10V, Id = -74A |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): -2 V a -4 V |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | -300 A |
| Carga de Gate (Qg) | 130 nC @ Vgs = -10V |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF4905STRLPBF?
O IRF4905STRLPBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF4905STRLPBF?
A temperatura de operação do IRF4905STRLPBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima Drain-Source e corrente contínua de Drain do IRF4905STRLPBF?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é -55 V, e a corrente contínua de Drain (Id) máxima é -74 A.