Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 30V, 110A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 220AB.
Especificações
| Tecnologia | N-channel MOSFET |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 30V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 110A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 8.5 mOhm (Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V a 4V |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 440A |
| Potência Dissipada (Pd) | 200W |
| Encapsulamento | TO-220AB |
| Temperatura de Operação | -55°C a 175°C |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF3205SPBF?
O IRF3205SPBF possui encapsulamento TO-220AB.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF3205SPBF?
A temperatura de operação do IRF3205SPBF varia de -55°C a 175°C.
O IRF3205SPBF é compatível com RoHS?
Sim, o IRF3205SPBF é RoHS Compliant.