Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 30V, 110A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 220.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 30V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 110A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 8.0 mOhm (Vgs=10V) |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V a 4V |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 440A |
| Potência Dissipada (Pd) | 200W |
| Encapsulamento | TO-220AB |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF3205PBF?
O IRF3205PBF é encapsulado em TO-220AB.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF3205PBF?
A temperatura de operação do IRF3205PBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima de dreno do IRF3205PBF?
A tensão Dreno-Fonte (Vds) máxima do IRF3205PBF é 30V.