Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 75V, 120A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 262.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 75 V |
| Corrente de Drain contínua (Id) | 120 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 4.3 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | TO-262 (3-pin) |
| Temperatura de operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain pulsada (Idm) | 480 A |
| Carga de Gate (Qg) | 100 nC |
| Tempo de subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de descida (tf) | 10 ns |
Recursos
- Diodo de corpo integrado
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF2907ZS-7PPBF?
O IRF2907ZS-7PPBF possui encapsulamento TO-262 (3-pin).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF2907ZS-7PPBF?
A temperatura de operação do IRF2907ZS-7PPBF é de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima que pode ser aplicada ao Gate do IRF2907ZS-7PPBF?
A tensão Gate-Source (Vgs) máxima do IRF2907ZS-7PPBF é de ±20 V.