Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | Super Junction |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 150 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 60 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 18 mOhm a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 4 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2300 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 250 pF |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 240 A |
| Potência Dissipada (Pd) | 300 W |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF3415PBF?
O IRF3415PBF é encapsulado em TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF3415PBF?
A faixa de temperatura de operação do IRF3415PBF é de -55 °C a +175 °C.
Qual a tensão Drain-Source máxima e a corrente contínua do IRF3415PBF?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do IRF3415PBF é de 150 V, e a corrente contínua Drain (Id) é de 60 A.