Descrição
MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de alta corrente e comutação.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 55 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 160 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.5 mOhm a 10V Vgs |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Corrente Pulsada Drain (Id, pulse) | 640 A |
| Carga de Gate (Qg) | 100 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRF1405STRLPBF pode suportar?
O MOSFET IRF1405STRLPBF suporta uma tensão Drain: Source (Vds) de 55 V.
Em qual faixa de temperatura o IRF1405STRLPBF pode operar?
O IRF1405STRLPBF pode operar em uma faixa de temperatura de -55 °C a +175 °C.
Qual o tipo de encapsulamento e qual a corrente contínua máxima do IRF1405STRLPBF?
O IRF1405STRLPBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263) e suporta uma corrente contínua Drain (Id) de 160 A.