Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e alta corrente.
Especificações
| Tecnologia | Super Junction |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 83A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 7.5mOhm @ 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 4V @ 250µA |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2300pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 700pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 250pF |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 330A |
| Potência Dissipada (Pd) | 300W |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF1010EZPBF?
O IRF1010EZPBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF1010EZPBF?
A faixa de temperatura de operação do IRF1010EZPBF é de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima Drain-Source suportada pelo IRF1010EZPBF?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do IRF1010EZPBF é de 60V.