Infineon PVI1050NPBF SKU PVI1050NPBF

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O Infineon PVI1050NPBF é um transistor de efeito de campo (FET) de potência de canal N, projetado para aplicações de comutação de alta eficiência.

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Descrição

O Infineon PVI1050NPBF é um transistor de efeito de campo (FET) de potência de canal N, projetado para aplicações de comutação de alta eficiência.

Especificações

Tipo de Transistor MOSFET de Potência
Canal N
Tensão Dreno Fonte (Vds): 500 V
Corrente de Dreno Contínua (Id) 10 A
Resistência Dreno Fonte (Rds(on)): 0.5 Ohm (típico)
Tensão de Limiar Gate Source (Vgs(th)): 3 V (típico)
Tecnologia CoolMOS™ C7
Encapsulamento PG-TO247
Temperatura de Operação -55°C a +150°C
Aplicações Fontes de alimentação comutadas (SMPS), fontes de alimentação de servidor, fontes de alimentação de telecomunicações, fontes de alimentação industriais.

FAQ

Qual o encapsulamento do Infineon PVI1050NPBF?

O Infineon PVI1050NPBF é encapsulado em PG-TO247.

Qual a faixa de temperatura de operação do PVI1050NPBF?

O PVI1050NPBF opera em temperaturas de -55°C a +150°C.

Quais são algumas das aplicações típicas do Infineon PVI1050NPBF?

O PVI1050NPBF é utilizado em fontes de alimentação comutadas (SMPS), fontes de alimentação de servidor, fontes de alimentação de telecomunicações e fontes de alimentação industriais.

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