Descrição
Transistor de efeito de campo de óxido de metal (MOSFET) de canal N, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tipo de Transistor | N-Channel |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 20V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 10A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 12mOhm @ Vgs = 4.5V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 1V |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Montagem | SMD |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o tipo de transistor do Infineon PVDZ172NPBF?
O Infineon PVDZ172NPBF é um transistor de efeito de campo de óxido de metal (MOSFET) de canal N.
Qual a faixa de temperatura de operação do PVDZ172NPBF?
O PVDZ172NPBF opera em uma faixa de temperatura de -55°C a 150°C.
Qual a tensão Drain-Source e corrente contínua do PVDZ172NPBF?
A tensão Drain-Source (Vds) é de 20V e a corrente contínua de Drain (Id) é de 10A.