Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e alta corrente.
Especificações
| Tecnologia | Super Junction |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 75 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 82 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 7.2 mOhm a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 4 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2400 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 700 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 300 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Package | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRF2807PBF pode suportar?
A tensão máxima Drain-Source (Vds) é de 75 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF2807PBF?
O IRF2807PBF opera em uma faixa de temperatura de -55°C a +175°C.
Quais as características de comutação do IRF2807PBF?
O tempo de subida (tr) é de 15 ns e o tempo de descida (tf) é de 10 ns.