Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 40V, 170A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 220.
Especificações
| Tecnologia | Super Junction |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 40V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 170A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 3.5mOhm (Vgs=10V) |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V (Vgs=0V, Id=250uA) |
| Tensão Gate | Source Máxima (Vgs): ±20V |
| Encapsulamento | TO-220 |
| RoHS | Sim |
| Fabricante | Infineon Technologies |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF2204SPBF?
O IRF2204SPBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a tensão máxima que o IRF2204SPBF pode suportar no dreno?
A tensão Dreno-Fonte (Vds) máxima do IRF2204SPBF é de 40V.
Qual a corrente contínua máxima que o IRF2204SPBF pode conduzir?
A corrente de Dreno Contínua (Id) do IRF2204SPBF é de 170A.