Descrição
O Infineon PVG612ASPBF é um MOSFET de canal N de alta performance em encapsulamento SOT 223, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e baixa tensão.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 1.5A |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2V (máx.) |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 120mΩ (típico) @ Vgs=4.5V, Id=1.5A |
| Encapsulamento | SOT-223 |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Montagem | SMD (Surface Mount Device) |
| Aplicações | Comutação de alta frequência, fontes de alimentação chaveadas, gerenciamento de energia |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do Infineon PVG612ASPBF?
O Infineon PVG612ASPBF possui encapsulamento SOT-223.
Qual a faixa de temperatura de operação do PVG612ASPBF?
A temperatura de operação do PVG612ASPBF é de -55°C a +150°C.
Quais são as aplicações típicas do Infineon PVG612ASPBF?
O Infineon PVG612ASPBF é indicado para aplicações como comutação de alta frequência, fontes de alimentação chaveadas e gerenciamento de energia.