Descrição
Transistor de efeito de campo de metal óxido semicondutor de óxido de metal (MOSFET) de canal N, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tipo de Transistor | N-Channel |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 20V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 10A |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 1V (máx.) |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 17.2mOhm @ Vgs = 4.5V |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Encapsulamento | SOT-223 |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| RoHS | Sim |
| Fabricante | Infineon Technologies |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon PVDZ172NSPBF?
O transistor Infineon PVDZ172NSPBF é encapsulado em SOT-223.
Qual a faixa de temperatura de operação do PVDZ172NSPBF?
O PVDZ172NSPBF opera em uma faixa de temperatura de -55°C a 150°C.
Quais são algumas das especificações elétricas do PVDZ172NSPBF?
O PVDZ172NSPBF é um MOSFET de canal N com tensão Drain-Source de 20V, corrente de dreno contínua de 10A, tensão de limiar Gate-Source (máx.) de 1V e resistência Drain-Source (Rds(on)) de 17.2mOhm.