Infineon IRLZ44NPBF

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Transistor MOSFET de canal N, de potência, com encapsulamento TO-220, projetado para aplicações de comutação de alta corrente e baixa tensão.

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Descrição

Transistor MOSFET de canal N, de potência, com encapsulamento TO 220, projetado para aplicações de comutação de alta corrente e baixa tensão.

Especificações

Tecnologia Logic Level, N-Channel
Tensão Drain Source (Vds): 55 V
Corrente Contínua Drain (Id) 47 A
Corrente Pulsada Drain (Idm) 196 A
Tensão Gate Source (Vgs): ± 16 V
Tensão de Limiar Gate Source (Vgs(th)): 2 V a 4 V
Resistência Drain Source (Rds(on)): 0.018 Ohm a 0.024 Ohm @ Vgs=10V, Id=25A
Capacitância de Entrada (Ciss) 1300 pF
Capacitância de Saída (Coss) 330 pF
Capacitância de Transferência (Crss) 150 pF
Tempo de Subida (tr) 15 ns
Tempo de Descida (tf) 10 ns
Encapsulamento TO-220
Temperatura de Operação -55 °C a +175 °C

FAQ

Qual o tipo de encapsulamento do Infineon IRLZ44NPBF?

O Infineon IRLZ44NPBF possui encapsulamento TO-220.

Qual a faixa de temperatura de operação do IRLZ44NPBF?

A temperatura de operação do IRLZ44NPBF é de -55 °C a +175 °C.

Qual a tensão de gate para operação lógica do IRLZ44NPBF?

O IRLZ44NPBF é um MOSFET de nível lógico (Logic Level), e a tensão Gate: Source (Vgs) é de ± 16 V, com tensão de limiar (Vgs(th)) de 2 V a 4 V.

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