Infineon IRFB4332PBF: MOSFET de Potência para Aplicações Exigentes
O IRFB4332PBF da Infineon é um MOSFET de potência de canal N que oferece excelente desempenho em uma variedade de aplicações, incluindo fontes de alimentação chaveadas, inversores, drivers de motor e muito mais. Com recursos avançados e especificações robustas, este componente garante alta eficiência e confiabilidade em projetos eletrônicos.
Especificações Técnicas do IRFB4332PBF:
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 250V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 60A @ TC = 25°C
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 14mΩ (típico)
- Dissipação de Potência (PD): 390W @ TC = 25°C
- Encapsulamento: TO-220AB
Características Principais do MOSFET IRFB4332PBF:
Este MOSFET de potência HEXFET® da Infineon foi projetado com tecnologia de ponta para oferecer o melhor desempenho em suas aplicações. Confira seus principais recursos:
- Baixa resistência de estado ligado (RDS(on)) para minimizar perdas de condução.
- Alta capacidade de corrente para lidar com cargas exigentes.
- Tempo de comutação rápido para garantir alta eficiência.
- Robustez e confiabilidade para operação em ambientes desafiadores.
Aplicações do IRFB4332PBF:
O IRFB4332PBF é ideal para uma ampla gama de aplicações, como:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores DC-DC
- Inversores
- Controladores de motor
- Aplicações de aquecimento por indução
- Sistemas de energia solar
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