Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 75V, 110A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 220.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 75 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 110 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 4.3 mOhm a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Tipo de Canal | N |
| Corrente de Drain Pulsada (Id, pulse) | 440 A |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2 V |
| Temperatura de Operação | -55°C a 175°C |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IRFB3607PBF?
O transistor IRFB3607PBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFB3607PBF?
A temperatura de operação do IRFB3607PBF varia de -55°C a 175°C.
Qual a tensão de Gate-Source máxima do IRFB3607PBF?
A tensão de Gate-Source (Vgs) máxima do IRFB3607PBF é de ±20 V.