Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 110 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.3 mOhm @ Vgs = 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | TO-220 FullPAK |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Encapsulamento | Non-conductive heat spreader |
| Aplicações | Gerenciamento de energia, fontes de alimentação, inversores solares |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFB4410ZPBF?
O IRFB4410ZPBF possui encapsulamento Non-conductive heat spreader, com package TO-220 FullPAK.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFB4410ZPBF?
A temperatura de operação do IRFB4410ZPBF varia de -55°C a +175°C.
Quais são algumas das aplicações típicas do IRFB4410ZPBF?
O IRFB4410ZPBF é indicado para aplicações de gerenciamento de energia, fontes de alimentação e inversores solares.