Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e alta corrente.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 200 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 76 A |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 304 A |
| Resistência Dreno | Fonte (Rds(on)): 18 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 4 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2300 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 150 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Package | TO-220 |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRFB38N20DPBF suporta?
O transistor MOSFET IRFB38N20DPBF suporta uma tensão Dreno: Fonte (Vds) de 200 V.
Qual a corrente máxima que o IRFB38N20DPBF pode conduzir?
A corrente de Dreno Contínua (Id) do IRFB38N20DPBF é de 76 A, e a corrente de Dreno Pulsada (Idm) é de 304 A.
Quais as características de encapsulamento e conformidade RoHS do IRFB38N20DPBF?
O IRFB38N20DPBF possui encapsulamento TO-220 e está em conformidade com RoHS.