Descrição
Transistor MOSFET de canal P, encapsulamento TO 220, projetado para aplicações de comutação de alta corrente e alta frequência.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | P-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): -55 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | -24 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Source (RDS(on)): 0.045 Ohm @ Vgs = -10V, Id = -24A |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | -96 A |
| Carga de Gate (Qg) | 50 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): -2.0 V |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF9Z34NPBF?
O IRF9Z34NPBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF9Z34NPBF?
O IRF9Z34NPBF opera em temperaturas de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima de Gate-Source do IRF9Z34NPBF?
A tensão Gate-Source (Vgs) máxima do IRF9Z34NPBF é ±20 V.