Descrição
Transistor MOSFET de canal P, encapsulamento TO 220, projetado para aplicações de comutação de potência.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | P-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): -100 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | -11 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 0.12 Ohm @ Vgs = -10V, Id = -11A |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | -44 A |
| Carga de Gate (Qg) | 45 nC @ Vgs = -10V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): -2 V a -4 V @ Id = -250 µA |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IRF9520NPBF?
O IRF9520NPBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF9520NPBF?
A temperatura de operação do IRF9520NPBF é de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima entre o Dreno e a Fonte do IRF9520NPBF?
A tensão Dreno-Fonte (Vds) máxima do IRF9520NPBF é de -100 V.