Infineon IRF7811AVPBF

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Infineon IRF7811AVPBF: MOSFET de Canal N de Alta Performance

O IRF7811AVPBF da Infineon é um MOSFET de canal N de última geração, projetado para oferecer um desempenho excepcional em uma variedade de aplicações. Com tecnologia HEXFET avançada, este componente garante um equilíbrio ideal entre baixa resistência de condução (RDS(on)) e carga de porta, resultando em perdas de condução e comutação reduzidas. Isso o torna uma escolha perfeita para aplicações de alta eficiência, como conversores DC-DC que alimentam microprocessadores de última geração.

Especificações Técnicas:

  • Tensão Dreno-Source (VDS): 30V
  • Corrente de Dreno (ID): 43A
  • Resistência de Condução (RDS(on)): 14mΩ
  • Carga de Porta Total (Qg): 17nC
  • Tempo de Subida (tr): 23ns
  • Tempo de Descida (tf): 13ns
  • Temperatura de Junção (Tj): -55°C a +175°C
  • Encapsulamento: DPAK

Recursos e Benefícios:

O IRF7811AVPBF oferece uma série de recursos que o tornam uma solução ideal para diversas aplicações:

  • Baixa resistência de condução (RDS(on)), minimizando perdas de energia.
  • Carga de porta reduzida, proporcionando comutação rápida e eficiente.
  • Excelente imunidade a transientes de tensão, garantindo operação confiável.
  • Otimizado para conversores buck síncronos, maximizando a eficiência do sistema.
  • Encapsulamento DPAK compacto, ideal para projetos com restrições de espaço.

Aplicações:

Este MOSFET de canal N é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo:

  • Conversores DC-DC de alta eficiência
  • Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
  • Controladores de motor
  • Gerenciamento de bateria
  • Aplicações automotivas

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A Mokka-Sensors não trabalha apenas com o Infineon IRF7811AVPBF e você é muito bem vindo a conhecer os outros produtos do nosso catálogo!

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