Infineon IRF7469PBF

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Infineon IRF7469PBF: MOSFET de Potência HexFET de Canal N

O IRF7469PBF da Infineon é um MOSFET de potência HexFET de canal N de última geração, projetado para aplicações que exigem alta eficiência e desempenho superior. Com uma resistência de estado ligado (RDS(on)) ultrabaixa e uma capacitância de entrada reduzida, este componente oferece comutação rápida e perdas mínimas de energia, tornando-o ideal para uma ampla gama de projetos eletrônicos.

Especificações Técnicas do IRF7469PBF:

  • Tensão Dreno-Fonte (VDS): 40V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID): 10A
  • Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 17mΩ @ VGS = 10V
  • Capacitância de Entrada (Ciss): 350pF
  • Tempo de Subida (tr): 25ns
  • Tempo de Descida (tf): 17ns
  • Encapsulamento: TO-263-7

Aplicações do MOSFET IRF7469PBF:

Graças ao seu desempenho excepcional, o IRF7469PBF pode ser utilizado em diversas aplicações, como:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Controladores de motor
  • Circuitos de acionamento de relés
  • Sistemas de iluminação LED
  • Gerenciamento de bateria

Vantagens do IRF7469PBF:

Este MOSFET de potência oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para seus projetos:

  • Baixa resistência de estado ligado (RDS(on)), resultando em menor dissipação de potência e maior eficiência.
  • Capacitância de entrada reduzida, permitindo comutação rápida com perdas mínimas.
  • Alta capacidade de corrente, tornando-o adequado para aplicações de alta potência.
  • Encapsulamento TO-263-7 compacto e robusto, ideal para montagem em superfície.
  • Excelente relação custo-benefício.

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