Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 30V, 40A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento D2PAK.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 30V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 40A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 0.009 Ohm @ Vgs = 10V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V @ Id = 250uA |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263) |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 160A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±16V |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Carga de Gate (Qg) | 45nC @ Vgs = 10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1300pF @ Vds = 25V |
| Capacitância de Saída (Coss) | 350pF @ Vds = 25V |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 100pF @ Vds = 25V |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF7469PBF?
O IRF7469PBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7469PBF?
A temperatura de operação do IRF7469PBF é de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima de Gate-Source suportada pelo IRF7469PBF?
A tensão Gate-Source (Vgs) máxima suportada pelo IRF7469PBF é de ±16V.