Descrição
MOSFET de canal N de alta velocidade, 30V, 10A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento D2PAK.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 30V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 10A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 15mΩ @ Vgs = 10V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 40A |
| Dissipação de Potência (Pd) | 3.4W |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263AB) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF7389TRPBF?
O IRF7389TRPBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263AB).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7389TRPBF?
A temperatura de operação do IRF7389TRPBF é de -55°C a +175°C.
O IRF7389TRPBF está em conformidade com RoHS?
Sim, o IRF7389TRPBF é RoHS Compliant.